绿色高效的双管正激电路

  （2）死区时间控制比较器具有120 mV有效输入补偿电压，它限制最小输出死区时间近似等于锯齿波周期时间的4 %。在死区时间控制端，设置固定电压时（范围0~ 0. 3 V）就能在输出脉冲上产生附加的死区时间；

  图4是对直流侧输出的电压进行采样（两种方法），其中光耦选择至关重要。我们选用TLP521，内部是两只光耦集成在一个芯片中，其传输特性几乎完全一致，根据电流相等的原理，这样就可以在一定程度上完成高精度的直流高压隔离采样。

  只要合理选择电阻的参数值，就可以把高压侧的输出电压降为需要的采样电压值。由电路图可知输入输出比：

  TL494内部设置了线性锯齿波振荡器，振荡频率f = 1. 1/（R C），它可由两个外接元件R和C来调节（分别接6脚和5脚）。TL494内设两个误差放大器，可构成电压反馈调节器和电流反馈调节器，分别控制输出电压的稳定和输出过流的保护;设置了5 V 1%的电压基准（14脚），它的死区时间调节输出形式可单端，也可以双端，一般是作为双端输出类型的脉宽调制PWM，TL494作为一种PWM控制芯片有如下特点：

  当反馈电压3脚从0. 5 V~ 3. 5 V时，输出脉宽从被死区时间控制输入端确定的最大导通时间里下降到零。

  图5中4R1接主电路上的霍尔传感器，有效地避免因变压器原边电流过流而也许会出现烧坏主电路功率开关管的现象。为此，必须对流过MOSFET开关管的脉冲电流的大小进行采样。当发生过流时，系统应能快速反应做出相应的保护的方法。流过MOFET脉冲电流经开环霍尔电流传感器转换为电压信号，再经过简单RC滤波和同相比例放大器得到要的电流采样值。

  （2）不需要采取了特殊的磁通复位技术，避免复杂的去磁绕组的设计和减少高频变压器的体积，使电路变得简洁，也不需要加RCD来进行复磁箝位，并能对电源进行馈电，提高了效率，如输出低电压时再采用同步整流技术，则效率会更高；

  （3）与全桥变换器和半桥变换器相比，每一个桥臂都是由一个二极管和一个开关管串联组成，不存在桥臂直通的问题，可靠性高。

  主控芯片电路如图6。T L494的13脚接到高电平，运行在推挽输出模式。10脚作为驱动信号输出接口，驱动电流可达500 mA。4脚外围电路是软启动部分。由于T L494内部放大器15、1 6、3脚组成的放大器构成了过流保护电路，一旦检测到电流过流，则3脚输出高电平封闭了1、2、3脚组成的放大器。同时，使得PWM输出占空比减少，保证主电路开关管的安全。

  双管正激变换器的工作可大致分为三个过程：能量转移阶段、变压器磁复位阶段和死区阶段。在能量转移阶段,原边的两个开关都导通,能量从输入端向输出端转移。在变压器磁复位阶段,原边的两个二极管都导通,使变压器绕组承受反相输入电压,以此来实现变压器磁复位。当变压器完全复位后,变换器工作在死区阶段,即原边无电流、副边续流。在复位过程中,双管正激开关MOSFET被箝位在输入电压。MOSFET上的电压应力小于单管正激,至少低一倍。这样我们可选取具有低导通电阻Rdson的低电压MOSFET,以获得低损耗。常用的单管正激变换由于拓扑简单，升/降压范围宽，大范围的应用于中小功率电源变换场合。单管正激变换器的输出功率不象反激变换器那样受变压器储能的限制，因此输出功率较反激变换器大，但是单管正激变换器的开关管电压应力高，为两倍输入电压，有时甚至超过两倍输入电压。过高的开关管电压应力成为限制单管正激变换器容量继续增加的一个重要的条件，而双管正激变换器就可以有效解决单管正激变换器的上述不足。驱动芯片T L494是一种价格实惠公道、驱动能力强、死区时间可控，同时带有两个误差放大器，当负载变化时来进行电压和电流反馈PI调节，这样逐步加强了电源的稳定性。

  （3）在输出控制13脚接地时，这将使最大占空系数为已知输出的96 %，单端PWM控制；而在输出控制13脚接参考电平时，占空比则是给定输出的48 %，双端PWM控制；

  电源主电路见下图3，从图3能够准确的看出，电路结构相对比较简单，容易实现，并在MOSFET桥臂增加了霍尔传感器，以保证输出反馈电流环的要求。为增加电路的通用性，设计的电路板增加了双路输出的功能，只要改变变压器的设计，即能够实现多路输出。当两个主功率开关管截止时，原边绕组的电压极性相反，使另外一桥臂的两个二极管导通，电压被箝位在输入电压值。因此开关管承受的电压与输入电压相同。在输入电压最大值低于350 V时，开关管只要选择450 V的耐压值即可。这里我们选用N沟道MOSFET，IRF830（4. 5 A/ 500 V）。

  高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成为当前电源模块技术发展的关键驱动力。双管正激电路是实现这些要求的实用电路之一,被大范围的应用在中、高功率电源设计中。双管正激电路运行很稳定,受到设计人员的广泛关注,并给予了较高评价。由于原边的两个开关不是使用图腾柱结构,它们同时导通,这就解决了击穿问题。对于半桥和全桥变换器来说,原边开关使用图腾柱结构,一旦由于电磁噪音或电磁辐射引起两个开关同时导通,电路将受到破坏性的中断。这样的一个问题对于受高能量辐射影响的电源来说至关重要,而双管正激电路能避免这个问题，所以采用双管正激技术的电源模块被广泛地运用于通信领域。

  反馈电压的PI调节ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ分的LM324内部的一个放大器组成的电压闭环。T L494的1、2、3脚组成的内部放大器构成了电流闭环。当输出电压偏高时，经过了电压闭环电路后，ULOOP变小，经过了电流闭环后，FB端口电压变大，输出PWM脉宽变小，输出电压调低。当变压器原边电流增大时，经过了电流闭环后，FB端口电压变大，输出PWM脉宽变小，电流值减小，可见构成的双环系统可以稳定的运行。

  主电路的两个MOSFET开关管要求同时开通，同时关闭。主控芯片TL494发出的控制信号，要一分为二来驱动MOSFET。驱动信号经过推挽电路，再经过脉冲变压器能很方便的得到一对同相位的控制信号。

  在实际设计和调试中，与单管正激变换器变换器中变压器设计方法相同，不过省去了复位绕组。

  TL494是典型的固定频率脉宽调制控制集成电路，它包含了控制开关电源所需的全部功能，可作为双管正激式、半桥式、全桥式开关电源的控制管理系统。它的工作频率为1~ 300 kHz，输入电压达40 V，输出电流为200 mA，其内部原理图如图2所示。