打不过台积电怎么办？

  从最新一份全球晶圆代工市场数据分析来看，台积电在产业中的位置已经不单单是“领先者”，而更像是整个代工体系的核心支点。市场研究机构的统计显示，2025 年第三季度，全球前十大晶圆代工商合计营收达到 450.86 亿美元，较上一季度环比增长 8.1%。在整体需求回暖、各家厂商营收普遍回升的背景下，台积电依旧拿走了其中最重要的一部分：当季营收 330.63 亿美元，环比增长 9.3%，市场占有率逐步提升至 71%。

  这一数字本身已经说明问题。超过 70% 的市场占有率，意味着台积电一家所覆盖的产能规模、客户结构和技术层级，已经远超于其他所有竞争对手的总和。无论从先进制程的推进速度、头部客户的集中度，还是资本开支的持续强度来看，台积电在当前代工市场中的优势都呈现出明显的“放大效应”。市场整体在增长，但增长最直接、最充分地体现在台积电身上。

  与之形成对比的是，其他晶圆代工厂商虽然同样实现了营收增长，却在份额上难以缩小差距。三星电子仍位居第二，但三季度营收仅为 31.84 亿美元，市场占有率下降至 6.8%；中芯国际、联华电子、格罗方德等厂商分列其后，更多是在各自擅长的工艺节点和应用领域中稳步推进。总的来看，代工市场正在呈现出一种清晰的结构：台积电不断向上扩张，而其他厂商则被迫在不同层级、不同赛道中寻找位置。

  也正是在这样的背景下，一个需要我们来关注的问题逐渐浮现——当台积电持续加快先进制程量产节奏，并通过美国、日本等地的布局进一步巩固其全球制造网络时，那些在正面竞争中逐渐拉开距离的“手下败将”，正在如何调整各自的战略？是继续投入高风险、高资本消耗的先进制程竞赛，还是选成熟工艺、特色制程、区域市场或特定客户群体，构建差异化的生存逻辑？

  在这些追赶者中，英特尔的转型动作最为激进，也最具系统性。作为曾经的半导体霸主，英特尔在制程技术上的落后一度让外界质疑其代工业务的前景。但从2024年底到2025年，英特尔展现出的战略调整清晰而坚决：不是放弃先进制程竞争，而是通过技术突破、客户争取和生态整合，试图在特定领域重新建立竞争力。

  英特尔晶圆代工的核心筹码是其14A制程节点。这一节点被定位为对外部客户极具竞争力的选择，预计在功耗效率和芯片密度方面实现明显提升。更关键的是，14A将成为全世界首个在关键层采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻技术的制造节点。

  英特尔已安装ASML的Twinscan EXE:5200B，这是业界首款采用0.55数值孔径投影光学系统的High-NA光刻设备。该设备能够以8nm的分辨率打印芯片，在50 mJ/cm²的剂量下每小时可处理175片晶圆，并实现0.7纳米的套刻精度。相比之下，台积电和三星虽然也在测试High-NA设备的研发版本，但尚未将其用于商业规模生产。这在某种程度上预示着英特尔在这一代光刻技术的应用上，率先完成了从实验室到生产线的跨越。

  英特尔表示，High-NA工具将带来更灵活的设计规则，减少光刻步骤，降低掩模数量，缩短周期时间，并提高良率。随着该公司不间断地积累量产经验，未来在1nm以下时代还能根据自身的需求插入High-NA EUV多重曝光，而不会对良率产生显著影响。这种技术路径的前瞻性布局，正是英特尔试图在下一轮制程竞争中占据主动的关键。

  在先进制程之外，英特尔找到了另一个突破口——先进封装。随着台积电CoWoS封装产能长期紧张，英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术正慢慢的变成为可行的替代方案。

  EMIB是业界首个采用嵌入式桥接技术的2.5D互连解决方案，自2017年起已实现量产。与使用硅中介层作为基板的CoWoS不同，EMIB采用局部嵌入式桥接，提供更高的成本效益和更大的设计灵活性，很适合定制ASIC、芯片组和AI推理处理器。报道显示，苹果和博通正在招募具备EMIB技术专长的工程师，苹果甚至在考虑采用英特尔的EMIB封装技术来开发定制服务器加速器Baltra，此前该项目原本与台积电的N3工艺相关，但由于CoWoS产能有限而转向英特尔。

  英特尔还在继续扩展EMIB产品线。新型EMIB-M将金属-绝缘体-金属（MIM）电容器直接集成到硅桥中，提升供电性能；EMIB-T解决方案引入硅通孔（TSV）技术，满足HBM对低噪声垂直供电的需求。此外，英特尔还将EMIB与Foveros 2.5D和Foveros Direct 3D结合，创建了EMIB 3.5D混合架构。

  英特尔晶圆代工封装与测试副总裁表示，公司正在努力缓解先进封装芯片短缺的局面，其优点是不受产能限制。据报道，AWS和联发科等芯片设计企业正在选择英特尔晶圆代工作为供应商。英特尔在美国本土有着先进的封装能力，从新墨西哥州的Fab 9和Fab 11x工厂到俄亥俄州未来可能投产的生产线，这种本土生产赋予英特尔的战略影响力远超成本优势。

  英特尔晶圆代工最引人注目的进展，是其在争取头部客户方面取得的实质性突破。知名分析师郭明錤的调查显示，苹果已与英特尔签署保密协议，采购英特尔的18A-P PDK 0.9.1GA芯片。苹果目前正在等待英特尔交付PDK 1.0/1.1套件，预计将于2026年第一季度到货。如果一切顺利，英特尔最早可能在2027年第二或第三季度开始交付基于18A-P先进工艺节点的苹果入门级M系列处理器。

  18A-P工艺是英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，针对各种功率/电压范围进行了精细调校，优化了阈值电压以更好地平衡能效。据估计，到2027年，苹果用于MacBook和iPad的入门级M系列芯片产量可能达到1500万至2000万颗。这不仅意味着巨大的产能贡献，也象征着英特尔在高端移动芯片市场重新获得认可。

  更广泛的客户拓展也在同步进行。据报道，英伟达和AMD正在评估英特尔晶圆代工的14A制程节点。英特尔副总裁证实，一些先进封装客户取得了良好成果，客户主动联系英特尔是溢出效应的结果，公司目前正在进行战略对线A-P工艺在PDK方面已相当成熟，英特尔将重新与外部客户接洽，以评估他们的兴趣。

  英特尔的另一个重要战略调整是设立专用ASIC部门。该部门由Srini Iyengar领导，隶属于中央工程集团（CEG）。英特尔首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）在第三季度财务报表电话会议上表示：“CEG团队将牵头构建我们全新的ASIC和设计服务业务，为广泛的外部客户提供定制芯片。这不仅将扩展我们核心x86 IP的应用场景范围，还将利用我们的设计优势，提供从通用计算到固定功能计算的一系列解决方案。”

  这一战略的逻辑在于，英特尔拥有芯片技术专长、x86 IP以及提供制造服务的内部代工厂，寻求定制AI芯片的客户能获得满足所有需求的“一站式”服务。这是市场上其他ASIC设计商都没办法提供的优势，即使是博通、Marvell或Alchip也不例外，因为英特尔的代工厂服务正是其区别于其他公司的关键。借助CEG集团，英特尔实现了横向工程的集中化，这在某种程度上预示着将设计服务与制造和封装相结合的成本已大幅降低。

  英特尔副总裁表示，公司在定制网络ASIC芯片领域拥有蒸蒸日上的业务，已经获得了众多智能网卡ASIC芯片的客户。这些芯片专为网络密集型工作负载而设计，例如网络数据包处理、遥测、流量管理等。值得一提的是，陈立武在推动定制芯片商业模式方面有着深厚的经验，他在Cadence公司担任要职期间，始终致力于知识产权业务、设计工具、设计ECO合作以及定制芯片的垂直市场。他的经验和市场人脉将助力英特尔更好地把握ASIC热潮。

  为了进一步强化AI领域的竞争力，英特尔正就收购人工智能芯片初创企业SambaNova Systems进行深入谈判，此次收购包含债务在内的总估值约为16亿美元。SambaNova于2017年由斯坦福大学的教授团队创立，专注于定制化人工智能芯片的设计研发，目标是与英伟达的同种类型的产品展开竞争。

  值得注意的是，英特尔首席执行官陈立武同时担任SambaNova的董事长，他旗下的风险投资公司华登国际是SambaNova的创始投资方之一，并曾在2018年牵头完成了该公司规模达5600万美元的A轮融资。以16亿美元的价格收购SambaNova，将为英特尔带来其长期寻求的技术平台，助力完善自身AI产品布局，且此次收购价格相比该公司2021年50亿美元的估值存在明显折价。

  如果说英特尔的策略是多点开花、寻求技术突破，那么三星电子则是把所有筹码压在了2nm制程的大规模量产上。作为全世界第二大晶圆代工厂，三星在3nm制程竞赛中屡败于台积电，连续数年每季度亏损数万亿韩元。但从2024年底到2025年，三星的2nm业务开始显现转机，成为其晶圆代工部门扭亏为盈的关键变量。

  三星2nm制程采用全环栅（GAA）晶体管架构，这是三星在3nm制程中率先引入的技术。与传统的鳍式场效应晶体管（FinFET）设计相比，GAA技术最大限度地减少了电流泄漏，并明显提高了性能和电源效率。关键的是，三星从3nm开始采用GAA，而台积电将从2nm才开始应用。这在某种程度上预示着三星在克服3nm工艺挑战的同时，积累了多样化的GAA经验，与起步采用这项新技术的台积电处于不同的位置。

  根据韩国新闻媒体报道，三星2nm制程的良率已经从9月份的50%提升到11月的50%至60%，目标是在年底或2026年初将生产良率提高到70%左右，以吸引大客户。市场研究公司Counterpoint Research预测,三星的2nm产能将增加163%，从2024年的每月8000片晶圆增加到2026年底的21000片晶圆。

  三星DS部门首席技术官（CTO）兼总裁宋在赫在与总统政策秘书室长金容范的会谈中强调，随着人工智能投资热潮推动半导体需求进入景气周期，2nm制程将成为一个关键的转折点。熟悉三星的消息的人说：“距离2nm全面量产已不远，这番言论被解读为三星计划中的2nm工艺良率和芯片性能正在稳步达到目标。”

  随着良率的提升，三星已成功吸引到主要客户采用其先进工艺。2024年7月，三星获得了与特斯拉的合同，价值165亿美元，用来生产下一代AI6芯片。AI6是一款采用2nm工艺量产的高性能芯片，将用于特斯拉的全无人驾驶（FSD）系统，预计将于2027年内上市。特斯拉首席执行官埃隆·马斯克也确认，三星将代工部分AI5芯片系列，该系列芯片最初计划由台积电代工。

  除了特斯拉，三星还接到了多个重要订单：三星系统LSI内部的智能手机应用处理器Exynos 2600、苹果的图像传感器，以及MicroBT和Canaan的挖矿专用芯片（ASICs）。高通的应用处理器也有望跟进，传闻高通的第六代骁龙8至尊版将会有基于三星2nm代工的版本。

  最近，据悉，由著名芯片架构师Jim Keller领导的AI半导体公司Tenstorrent也在考虑与三星和台积电合作生产下一代芯片。此外，三星还赢得了美国AI半导体初创公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韩国初创公司DeepX的生产合同。据报道，Tsavorite已向三星预订了价值约1500亿韩元（约合1000亿美元）的AI芯片，采用三星4nm工艺。

  三星晶圆代工的另一个重要突破口是汽车半导体市场。除了特斯拉的AI6芯片，三星正准备为现代汽车公司量产8nm MCU（微控制器单元），该公司计划在2028年完成研发，并在2030年开始量产。三星晶圆代工非常有可能赢得现代汽车高端车型5nm无人驾驶芯片的合同。

  更值得关注的是，三星晶圆代工将向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器）。eMRAM是一种利用直接嵌入半导体内部的磁性来存储数据的存储半导体，速度大约是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推动汽车行业对其需求的增长。三星计划在2026年将其eMRAM产品组合扩展到8nm，并在2027年扩展到5nm。

  通过这样的形式，三星代工厂获得了大多数工艺的汽车芯片参考标准，包括超精细工艺（2nm）、精细工艺（5nm和8nm）以及成熟工艺（14nm）。这种全方位的布局，使三星在汽车半导体代工领域建立了显著的竞争优势。

  三星的战略布局不仅限于传统晶圆代工，还包括对下一代技术的前瞻性投入。三星电子DS事业部已将硅光子学选为未来的核心技术，并开始为其位于新加坡的专属研发中心招募经验比较丰富的专家。该新加坡研发中心由副总裁兼前台积电员工崔景建领导，正与总部技术开发办公室紧密合作，共同推进这项技术的发展。

  硅光子技术以光传输数据，成为数据中心、高效能运算及网络基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。与将数据信息存储在铜线上的传统半导体不同，硅光子技术将信息封装在光中，然后通过光纤传输，基本上没有电阻，可以在一定程度上完成更快的传输速度，还能明显降低发热量和功耗。

  三星正调动其遍布韩国、新加坡、印度、美国和日本的全球研发网络，致力于硅光子技术的研发。三星近期将负责硅光子技术研发的高级主管李康浩晋升为副总裁,并聘请了英特尔前首席产品官研究员朴贤大。三星还与人工智能半导体设计公司博通合作，共同推进硅光子技术的商业化。三星宣布CPO（共封装光学器件）的商业化日期为2027年。

  业内人士预计，硅光子技术是赢得更多大型晶圆代工客户的关键，这可能是一张反击王牌，能够扭转三星目前在2.5D和3D等尖端封装市场落后于台积电的局面。市场研究公司Modo Intelligence预测，到2030年，硅光子市场规模将增长至103亿美元。

  在先进光刻设备方面，三星也在积极追赶。三星电子计划在2026年上半年前投资约1.1万亿韩元，引进两台最新的极紫外（EUV）曝光设备——荷兰阿斯麦公司的“高数值孔径（NA）EUV”。该设备能够绘制比现有产品精细1.7倍的电路，每套设备成本约为5500亿韩元。

  三星计划在其2nm晶圆生产线上部署新机器，该生产线已在生产Exynos 2600应用处理器。三星还计划使用最新的EUV设备在2nm晶圆生产线上生产和供应特斯拉的下一代人工智能芯片。该工具还将支持三星未来的垂直通道晶体管（VCT）DRAM的生产，这是一种高性能、低功耗的内存芯片，计划于2027年左右量产。

  据悉，三星董事长李在镕对High-NA EUV的兴趣始于2023年12月，当时他访问了位于荷兰的ASML总部。李在镕对EUV实现2nm以下芯片生产的潜力印象非常深刻，因此指示工程师加快开发兼容的工艺技术。

  行业预计，多年来一直录得季度数百亿韩元亏损的三星代工业务将从2027年开始扭亏为盈。这得益于其奥斯汀工厂的开工率预期提高，以及泰勒工厂从2027年开始大规模量产特斯拉的AI6芯片。三星在其第三季度财务报表简报中表示：“我们获得了以尖端工艺为中心的创纪录订单，包括2nm的大规模客户合同。随着采用2nm工艺的新产品全面量产，我们预计通过持续提高开工率和实施成本效率措施，业绩将进一步改善。”

  Counterpoint Research表示：“如果良率持续改善，并且泰勒工厂的量产顺顺利利地进行，三星可能在数代以来首次在尖端工艺上有意义地缩小与台积电的竞争差距。”目前，台积电面临着英伟达和苹果等主要客户的订单集中，据报道将其2nm晶圆价格比前几代提高了50%。这为三星创造了一个可以抢占的利基市场，后者正利用灵活的定价策略来吸引客户。

  与英特尔和三星不同，联华电子（联电）很早就明确了自己的战略定位：不参与高风险、高资本消耗的先进制程竞赛，而是在成熟制程的基础上，通过特殊工艺、先进封装和硅光子等高附加价值应用，开辟新的增长空间。面对中国大陆晶圆厂在成熟制程市场的激烈竞争，联电的策略是避开价格战，转向技术壁垒更高、毛利更丰厚的细分领域。

  目前，联电已经在先进封装领域取得了实质性突破。联电自行开发的高阶中介层（Interposer）已获得高通的电性验证，并已进入试产流程，预估最快2026年第一季度量产。供应链透露，联电首批中介层电容密度达1500nF/mm²，技术水准属于高阶封装主流，高通更直接采购炉管机台放入联电厂房，显示双方合作深度与信任度非比寻常。

  这一合作涵盖AI PC、智能汽车与AI服务器等三大市场，强化联电在高速运算领域的地位。联电同步扩大海外封装布局，新加坡厂已投入2.5D制程，并具备晶圆对晶圆（Wafer-to-Wafer）键合技术，这是3D IC制造的关键能力。联电强调，未来将以完整方案为策略，不仅提供晶圆制程，也整合封装平台，打造属于联电的先进封装生态系，并结合智原、硅统、华邦等转投资伙伴，提高系统性竞争力。

  业界人士指出，联电布局先进封装，先前在制程端仅供应中介层，应用在RFSOI制程，对营收贡献有限。随着高通采用联电先进封装制程打造高速运算芯片，近期双方合作又逐步发展，对联电来说将能降低在成熟制程的低价竞争，闯出一条不同之路。

  联电的另一个重要布局是硅光子领域。联电与比利时微电子研究中心（IMEC）签署技术授权协议，取得IMEC iSiPP300硅光子制程，该制程具备共封装光学（CPO）相容性。藉由此次授权合作，联电将推出12英寸硅光子平台，瞄准下世代高速连接应用市场。

  随着AI数据负载日益增加，传统铜互连面临瓶颈，硅光子技术以光传输数据，成为数据中心、高效能运算及网络基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。联电将结合IMEC经验证的12英寸硅光子制程技术、加上联电绝缘层上覆硅（SOI）晶圆制程，为客户提供高度可扩展的光子芯片（PIC）平台。

  联电资深副总经理指出，取得IMEC最先进的硅光子制程技术授权，将加速联电12英寸硅光子平台的发展进程。联电正与多家新客户合作，预计在2026及2027年展开风险试产。此外，联电未来系统架构将朝CPO与光学I/O等更高整合度的方向迈进，提供数据中心内部及跨数据中心需要的高频宽、低能耗且高度可扩展的光互连应用解决方案。

  业界分析，IMEC是全球微电子与纳米技术探讨研究重镇，长年与台积电、英特尔等科技巨头合作，其硅光子研究位居世界第一梯队。联电此次携手IMEC挥军硅光子，有三大优势：首先是联电不用从零开始摸索硅光子元件设计规则，能直接取得IMEC的光子PDK、联合开发验证；其次是大幅度缩短商业化量产时间；最后则是与国际大客户的技术对接更顺畅。

  据了解，英伟达将在今年推出的新世代Rubin架构起，大量在AI服务器导入硅光子及CPO技术。法人认为，联电挥军硅光子，有助进一步打入AI服务器、数据中心等核心供应链，若2027年如期放量，联电将成为全世界CPO供应链中不可或缺的晶圆制造要角。

  联电还在积极拓展美国本土制造能力。联电宣布，已与专攻高压、功率及传感器的美国晶圆代工厂Polar Semiconductor签署合作备忘录（MOU），双方将展开洽谈，共同探索在美国本土8英寸晶圆制造的合作机会，以应对汽车、数据中心、消费电子，以及航空与国防等关键产业持续成长的需求。

  根据该谅解备忘录，Polar与联电将评估可在Polar近期扩建的明尼苏达州8英寸晶圆厂所生产的产品，并选定具体的生产项目。结合Polar稳健的制造能力，与联电完整的8英寸晶圆制造技术组合及全球客户基础，这项合作可望推动双方业务成长，并协助客户实现多元制造布局。此外，此合作也将进一步强化美国本土的8英寸晶圆制造产能，确保汽车、电网、机器人制造、数据中心等产业所需的关键功率半导体能够在美国稳定供应。

  联电全球业务资深副总经理指出：“联电致力通过多元的制程技术及全球布局，为客户提供弹性的供应链选择，以协助客户在现今的地理政治学环境中提升竞争力。这次合作不仅直接回应客户对美国本土半导体制造方案的需求，也展现联电以创新解决方案和双赢的合作模式，延续我们为客户创造价值的一贯承诺。”

  尽管联电明确说不会全面进军先进制程，但市场传出，联电正考虑扩大与英特尔之间的合作伙伴关系，可能选择在原有12nm制程合作基础上，将制程提升至6nm制程。对此，联电表示不评论市场消息，但强调双方在12nm鳍式场效电晶体（FinFET）合作将按规划，于2027年导入量产，具备AI、物联网与车用等高增长领域的应用优势。

  联电董事长指出，12nm FinFET制程技术平台（12FFC）相较于14nm技术（14FFC），芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅度的提高，充分的发挥FinFET的优势，可大范围的应用于各种半导体产品。与14FFC相比，12nm技术在优化的FinFET设备下，可实现10%的性能提升，透过降低电压减少20%功耗，采用六走线轨道设计，使面积减少超过10%，并节省三层光罩，逐渐增强联电成本竞争力。

  法人认为，即便联电不跨进先进制程，该公司在硅光子与先进封装等领域多元布局，有助在成熟制程红海中开创新蓝海。

  格罗方德（GlobalFoundries）作为全球第五大晶圆代工厂，很早就放弃了先进制程的竞争，转而专注于成熟制程和特色工艺。但在2024年底到2025年，格罗方德的战略重心更加清晰：通过区域化布局、硅光子技术和IP整合，在特定市场和应用领域建立无法替代的地位。

  2024年11月17日，格罗方德宣布收购位于新加坡的硅光子晶圆代工厂Advanced Micro Foundry（AMF）。此举标志着格罗方德在推进创新和巩固其硅光子领域领头羊的战略中迈出了关键一步。此次收购将扩展格罗方德在新加坡的硅光子技术组合、产能和研发能力，与其在美国的现存技术形成互补。

  格罗方德收购AMF，将AMF的制造资产、丰富的知识产权和专业人才整合在一起，显著扩展格罗方德的硅光子技术，并使格罗方德成为全世界营收最高的纯硅光子晶圆代工厂。凭借AMF超过15年的制造经验，格罗方德将利用AMF位于新加坡的200mm平台，满足长距离光通信、计算、激光雷达和传感等领域的需求，并计划随市场需求的增长扩展至300mm平台。

  格罗方德首席执行官表示：“硅光子技术对AI基础设施至关重要。随着数据传输速度加快、工作负载日益复杂，以更高的速度、精度和能效传输信息的能力如今已成为AI数据中心和先进电信网络的基础。收购AMF使格罗方德可提供更全面、更具差异化的十年可插拔收发器和共封装光器件发展路线图，同时加速光子技术向汽车和量子计算等相邻市场的发展。”

  为配合此次收购，格罗方德计划在新加坡建立一个硅光子学研发卓越中心（CoE）。该中心将与新加坡科技研究局合作，专注于研发用于400Gbps超高速数据传输的下一代材料，从而推进格罗方德的创新路线图。

  值得注意的是，格罗方德今年还正式公开宣布计划收购MIPS，此公司提供基于开源RISC-V指令集架构的处理器IP。格罗方德重申其纯代工厂的定位，强调此次收购并不代表将转向芯片设计或销售，其真正目的是通过提供现成可用的IP模块，帮助客户——尤其是初次涉足芯片开发或希望实现垂直整合的企业——简化系统模块设计流程。

  格罗方德企业传播总监表示：“收购MIPS将增强格罗方德为客户提供更完整、更具差异化解决方案的能力。通过整合MIPS成熟的RISC-V处理器IP及软件工具,格罗方德客户将受益于更广泛的计算IP访问、更短的上市周期、更大的灵活性与开放性，以及面向高增长市场的更优技术。这一举措将使格罗方德不仅是制造合作伙伴，更成为提供基础计算技术的战略伙伴。”

  公司计划持续支持MIPS基于开源RISC-V架构的处理器核心产品组合，以满足各类计算需求，从而拓展格罗方德在新市场和新应用领域的服务能力。这涵盖了用于自动化平台、嵌入式系统和智能边缘设备的计算子系统。除了边缘AI应用外，格罗方德与MIPS的协同能力也很适合在车载、物联网和数据中心基础设施等高增长领域发挥作用。

  尽管MIPS将成为格罗方德的子公司并向其客户提供IP产品，但MIPS将继续独立运营，维持现有客户关系并继续推进当前项目与合作协议。此外，MIPS也将继续与其他晶圆厂合作。

  今年11月，格罗方德宣布，计划投资11亿欧元，扩大其位于德国德累斯顿工厂的产能。这项投资将使该工厂的产能到2028年底提升至每年超过100万片晶圆，使其成为欧洲同类工厂中顶级规模的工厂。这项名为SPRINT的扩建计划预计将得到德国联邦政府和萨克森州在《欧洲芯片法案》框架下的支持。

  作为项目的一部分，该设施将进行升级，以提供端到端的欧洲流程和数据流，满足关键的半导体安全要求。新的产能将专注于格罗方德高度差异化的技术——其关键性能特性包括低功耗、嵌入式安全内存和无线连接——这些特性对于满足欧洲在汽车、物联网、国防和关键基础设施应用领域的芯片需求至关重要。

  格罗方德首席执行官表示：“近期汽车行业的动荡凸显了全球芯片供应链的脆弱性。我们计划在德累斯顿进行扩张，这是格罗方德积极应对这些挑战并履行承诺的又一举措，旨在支持欧洲对安全供应链和差异化技术的需求。通过扩大我们在欧洲、美国和全球的制造业务，格罗方德正在巩固其作为关键行业客户韧性十足且让人信服的合作伙伴的地位。”

  在先进制程受限的大背景下，特色工艺的技术转移成为了格罗方德与中国厂商合作的新模式。2025年8月，格罗方德宣布与一家中国本土代工厂达成最终协议，为中国客户提供车规级工艺与制造专长，不过格罗方德并未公开合作方。

  这种合作模式的优点是：相比先进逻辑制程，特色工艺更注重应用导向和工艺优化，技术壁垒相比来说较低，但应用门槛较高。通过技术授权，国内厂商可直接获得成熟的工艺平台，无需漫长的研发周期即可投入量产，从而缩短产品上市时间、降低开发成本，并增强本地供应链韧性。

  对于格罗方德而言，在先进制程竞争中处于劣势的情况下，通过技术授权能轻松实现技术价值的最大化。对于中国厂商而言，这种合作模式能快速提升在射频、功率、车规芯片等特色工艺领域的技术能力。

  从英特尔、三星、联电到格罗方德的战略调整来看，晶圆代工市场正在形成一种新的竞争格局：台积电继续在先进制程和头部客户中占据非常大的优势，而其他厂商则在各自选择的细分赛道中寻找生存空间。

  英特尔押注先进制程与先进封装的双轮驱动，试图通过技术突破和生态整合重新建立竞争力；三星将大部分筹码压在2nm制程的大规模量产上，期待在下一轮技术周期中实现反超；联电专注于成熟制程的差异化升级，通过先进封装和硅光子等高附加价值应用避开价格战；格罗方德则坚守特色工艺和区域化布局，在特定市场和应用领域建立无法替代的地位。

  这些战略调整的共同特点是：不再试图在所有维度上与台积电正面竞争，而是依据自己的技术积累、客户基础和资源禀赋，选择最对自己最合适的发展路径。在先进封装、硅光子、ASIC设计服务、区域化制造等新兴领域，这些“手下败将”正在寻找新的增长机会。

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  据共同社12月26日报道，日本总务大臣林芳正在26日的记者会上进行公开道歉。原因主要在于其竞选团队向山口县选举管理委员会提交的去年众议院选举期间活动费用收支报告存在更正之处，向13人支付的劳务费项目被删除。他表示：“私人秘书处理报告的方式不当，给大家造成了麻烦，我对此深表歉意。

  美国媒体最近又上新段子了！《国家利益》直接说：“我们要是守不住制空权，中国你也别想独占，得跟我们一起‘共享’！”网友看完都乐了：这不是明摆着实力跟不上，还要嘴硬自我安慰嘛！美媒“共享论”是怎么冒出来的？美国人这些年一直挺骄傲的，感觉自己空军全球天花板，谁也碰不到。

  26岁的徐少华站在镜头前，西装笔挺，嘴角那抹淡淡的笑像刚写完一首情诗，没有来得及收笔。1984年的阳光落在他肩头，亮得像要把整个八十年代的好运气都借给他。那一年，他刚拍完《趣经女儿国》——唐僧在马上低头合十，国王在阶前欲言又止，镜头切走，戏外他其实才二十六，还没学会掩饰自己的心跳。